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ว๊™์ˆ ยท์—ฐ๊ตฌ

๊น€์„ฑ์ค€ ์—ฐ๊ตฌํŒ€, InGaZnO ์ฑ„๋„ ๊ธฐ๋ฐ˜ ๊ฐ•์œ ์ „์ฒด ํŠธ๋žœ์ง€์Šคํ„ฐ ๋ฉ”๋ชจ๋ฆฌ ๊ฐœ๋ฐœ

๋“ฑ๋ก์ผ 2024.10.10. ์ž‘์„ฑ์ž ์ตœ์œคํ˜ธ ์กฐํšŒ 1350

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์žฌ๋ฃŒ ๋ถ„์•ผ ์ตœ์ƒ์œ„ ๊ตญ์ œ ํ•™์ˆ ์ง€ ‘Advanced Functional Materials’ ์˜จ๋ผ์ธ ๊ฒŒ์žฌ

 

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โ—‹ Reservoir Computing(์ถ•์ ์ปดํ“จํŒ…) ์‹œ์Šคํ…œ์€ ์ธ๊ณต ์‹ ๊ฒฝ๋ง์˜ ์—ญํ• ๋งŒ ํ•˜๋Š” ๊ธฐ์กด ์ธ๊ณต ์‹œ๋ƒ…์Šค ๋‰ด๋กœ๋ชจํ”ฝ ์‹œ์Šคํ…œ ๋Œ€๋น„ ๋†’์€ ์ธ๊ณต์ง€๋Šฅ ์„ฑ๋Šฅ์€ ์œ ์ง€ํ•˜๋ฉด์„œ ํ•™์Šต ๋น„์šฉ์„ ์ค„์ผ ์ˆ˜ ์žˆ๋‹ค. ์ด๋ฒˆ ๋…ผ๋ฌธ์—์„œ ๊ตฌํ˜„ํ•œ FeTFT๋Š” ํ•œ ์†Œ์ž์—์„œ RC์˜ reservoir(์ €์žฅ์†Œ) ์ธต๊ณผ read-out(ํ•™์Šต๊ณผ ์ถ”๋ก  ์—ญํ• ) ์ธต์„ ๋ชจ๋‘ ํ•˜๋“œ์›จ์–ด๋กœ ์ปค๋ฒ„ํ•  ์ˆ˜ ์žˆ๋‹ค๋Š” ์žฅ์ ์ด ์žˆ๋‹ค.

 

โ—‹ ํ•ด๋‹น ์—ฐ๊ตฌ ๊ฒฐ๊ณผ๋Š” <Cost-Effective and Fully Hardware-Oriented Reservoir Computing Based on IGZO/HZO Ferroelectric Thin-Film Transistor with Electrically and Optically Distinguishable States>๋ผ๋Š” ์ œ๋ชฉ์œผ๋กœ ์žฌ๋ฃŒ ๋ถ„์•ผ ์ตœ์ƒ์œ„ ์ €๋ช… ๊ตญ์ œ ํ•™์ˆ ์ง€ ใ€ŒAdvanced Functional Materials (IF=18.5)ใ€์— 24๋…„ 9์›” ์˜จ๋ผ์ธ ๊ฒŒ์žฌ๋๋‹ค.

 

โ—‹ ์ด๋ฒˆ ์—ฐ๊ตฌ๋Š” ํ•œ๊ตญ์—ฐ๊ตฌ์žฌ๋‹จ์˜ ์ค‘๊ฒฌ์—ฐ๊ตฌ ์‚ฌ์—…์ธ "์ถ•์ ์ปดํ“จํŒ… ๊ตฌํ˜„์„ ์œ„ํ•œ ๋ฆฌํ…์…˜ ์กฐ์ ˆ ๊ฐ€๋Šฅํ•œ ํ•˜ํ”„๋Š„ ๊ธฐ๋ฐ˜ ๊ฐ•์œ ์ „์ฒด ์†Œ์ž ๊ธฐ์ˆ  ๋ฐ ์ˆ˜์ง์ ์ธต ์ง‘์ ๊ณต์ • ๊ฐœ๋ฐœ"๊ณผ ๊ธ€๋กœ๋ฒŒ ๊ธฐ์ดˆ์—ฐ๊ตฌ์‹ค ์‚ฌ์—…์ธ "๋‰ด๋กœ๋ชจํ”ฝ ๊ธฐ์ˆ  ๊ธฐ๋ฐ˜ ๋ชจ๋นŒ๋ฆฌํ‹ฐ ๋ฐฐํ„ฐ๋ฆฌ PHM ๊ธ€๋กœ๋ฒŒ ๊ธฐ์ดˆ์—ฐ๊ตฌ์‹ค"์˜ ์ง€์›์„ ๋ฐ›์•„ ์ˆ˜ํ–‰๋๋‹ค.

 

[๊ด€๋ จ๊ธฐ์‚ฌ ๋ณด๊ธฐ] ๋™๊ตญ๋Œ€ ๊น€์„ฑ์ค€ ์—ฐ๊ตฌํŒ€, InGaZnO ์ฑ„๋„ ๊ธฐ๋ฐ˜ ๊ฐ•์œ ์ „์ฒด ํŠธ๋žœ์ง€์Šคํ„ฐ ๋ฉ”๋ชจ๋ฆฌ ๊ฐœ๋ฐœ

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